Drift of Electrons and the Origin of Resistivity MCQ Quiz in हिन्दी - Objective Question with Answer for Drift of Electrons and the Origin of Resistivity - मुफ्त [PDF] डाउनलोड करें

Last updated on May 1, 2025

पाईये Drift of Electrons and the Origin of Resistivity उत्तर और विस्तृत समाधान के साथ MCQ प्रश्न। इन्हें मुफ्त में डाउनलोड करें Drift of Electrons and the Origin of Resistivity MCQ क्विज़ Pdf और अपनी आगामी परीक्षाओं जैसे बैंकिंग, SSC, रेलवे, UPSC, State PSC की तैयारी करें।

Latest Drift of Electrons and the Origin of Resistivity MCQ Objective Questions

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 1:

इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता

A. विभवांतर में वृद्धि के साथ घटती है। 

B. विभवांतर में वृद्धि के साथ बढ़ती है। 

C. विभवांतर पर निर्भर नहीं करती है। 

D. चालक के तापमान में कमी के साथ घटती है। 

E. चालक के तापमान से स्वतंत्र है। 

नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें:

  1. केवल A और E
  2. केवल B और E
  3. केवल C और D
  4. केवल C और E

Answer (Detailed Solution Below)

Option 4 : केवल C और E

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 1 Detailed Solution

सही उत्तर : विकल्प 4) केवल C और E है। 

व्याख्या:

इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता उस सरलता को संदर्भित करती है जिसके साथ इलेक्ट्रॉन एक चालक के माध्यम से गति कर सकते हैं।

इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता मुख्य रूप से तापमान और पदार्थ के गुणों से प्रभावित होती है, लेकिन चालक पर प्रयुक्त विभवांतर से नहीं।

विभवांतर इलेक्ट्रॉनों के अपवाह वेग को प्रभावित करता है लेकिन उनकी गतिशीलता को सीधे प्रभावित नहीं करता है।

तापमान इलेक्ट्रॉन गतिशीलता को प्रभावित करता है, उच्च तापमान आमतौर पर अधिक परमाणु कंपन का कारण बनते हैं जो इलेक्ट्रॉन गति को बाधित कर सकते हैं।

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 2:

L लंबाई, A अनुप्रस्थ काट क्षेत्रफल के एक चालक तार में प्रति इकाई आयतन n मुक्त इलेक्ट्रॉन हैं, जिसका प्रतिरोध R है। (m और e क्रमशः इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान और आवेश दर्शाते हैं)। यदि τ चालक में मुक्त इलेक्ट्रॉनों का माध्य मुक्त काल है, तो प्रतिरोध R का सही सूत्र है:

  1. \(R = \frac{mL}{e^2 n A \tau}\)
  2. \(R = \frac{mA}{e^2 n L \tau}\)
  3. \(R = \frac{m \tau}{e^2 n AL}\)
  4. \(R = \frac{e^2 n A \tau}{mL}\)

Answer (Detailed Solution Below)

Option 1 : \(R = \frac{mL}{e^2 n A \tau}\)

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 2 Detailed Solution

सही उत्तर - R = mLe2nAτ" id="MathJax-Element-45-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">mLe2nAτ" id="MathJax-Element-166-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">mLe2nAτ" id="MathJax-Element-29-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">mLe2nAτ" id="MathJax-Element-99-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">mLe2nAτ" id="MathJax-Element-155-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">mLe2nAτ" id="MathJax-Element-59-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">mLe2nAτ" id="MathJax-Element-69-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">mLe2nAτ" id="MathJax-Element-354-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">mLe2nAτ mLe2nAτ

Key Points

  • प्रतिरोध (R)
    • मुक्त इलेक्ट्रॉनों के काल मुक्त समय (τ" id="MathJax-Element-46-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">τ" id="MathJax-Element-167-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">τ" id="MathJax-Element-30-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">τ" id="MathJax-Element-100-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">τ" id="MathJax-Element-156-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">τ" id="MathJax-Element-60-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">τ" id="MathJax-Element-70-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">τ" id="MathJax-Element-355-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">τ τ ) के संदर्भ में एक तार के प्रतिरोध का सूत्र, उनकी संख्या घनत्व (n), लंबाई (L), अनुप्रस्थ काट का क्षेत्रफल (A), और इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान (m) और आवेश (e) इस प्रकार दिया गया है:
    • R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-31-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-31-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-101-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-31-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-101-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-157-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-31-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-101-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-157-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-61-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-31-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-101-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-157-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-61-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-71-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-31-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-101-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-157-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-61-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-71-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-356-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-31-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-101-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-157-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-61-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-71-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-31-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-101-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-157-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-61-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-31-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-101-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-157-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-31-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-101-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-157-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-31-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-101-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-31-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-168-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
      R=mLe2nAτ" id="MathJax-Element-47-Frame" role="presentation" style="text-align: center; position: relative;" tabindex="0">
    • यह सूत्र किसी चालक में धारा, अपवाह वेग और इलेक्ट्रॉनों के सूक्ष्म गुणों के बीच के संबंध से प्राप्त होता है।

Additional Information

  • अपवाह वेग (vd" id="MathJax-Element-48-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd" id="MathJax-Element-169-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd" id="MathJax-Element-32-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd" id="MathJax-Element-102-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd" id="MathJax-Element-158-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd" id="MathJax-Element-62-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd" id="MathJax-Element-72-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd" id="MathJax-Element-357-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd vd )
    • अपवाह वेग विद्युत क्षेत्र के प्रभाव में इलेक्ट्रॉनों का औसत वेग है।
    • vd=eEτm" id="MathJax-Element-49-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd=eEτm" id="MathJax-Element-170-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd=eEτm" id="MathJax-Element-33-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd=eEτm" id="MathJax-Element-103-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd=eEτm" id="MathJax-Element-159-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd=eEτm" id="MathJax-Element-63-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd=eEτm" id="MathJax-Element-73-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd=eEτm" id="MathJax-Element-358-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">vd=eEτm vd=eEτm , जहाँ E विद्युत क्षेत्र है।
  • ओम का नियम​
    • ओम का नियम कहता है कि किसी चालक से होकर दो बिंदुओं के बीच प्रवाहित धारा, उन दोनों बिंदुओं के बीच वोल्टता के समानुपाती होती है।
    • आनुपातिकता का स्थिरांक प्रतिरोध है, जिसे इस प्रकार दर्शाया जाता है। 
      V=IR" id="MathJax-Element-50-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">V=IR" id="MathJax-Element-171-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">V=IR" id="MathJax-Element-34-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">V=IR" id="MathJax-Element-104-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">V=IR" id="MathJax-Element-160-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">V=IR" id="MathJax-Element-64-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">V=IR" id="MathJax-Element-74-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">V=IR" id="MathJax-Element-359-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">V=IR V=IR .
  • ओम के नियम का सूक्ष्म रूप​
    • ओम के नियम का सूक्ष्म रूप धारा घनत्व (J) को चालकता (σ" id="MathJax-Element-51-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-172-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-35-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-105-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-161-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-65-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-75-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-360-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ σ ) और विद्युत क्षेत्र (E) से जोड़ता है: J=σE" id="MathJax-Element-52-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">J=σE" id="MathJax-Element-173-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">J=σE" id="MathJax-Element-36-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">J=σE" id="MathJax-Element-106-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">J=σE" id="MathJax-Element-162-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">J=σE" id="MathJax-Element-66-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">J=σE" id="MathJax-Element-76-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">J=σE" id="MathJax-Element-361-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">J=σE J=σE .
    • σ" id="MathJax-Element-53-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-174-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-37-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-107-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-163-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-67-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-77-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ" id="MathJax-Element-362-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ σ  चालकता द्वारा दी जाती है। σ=ne2τm" id="MathJax-Element-54-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ=ne2τm" id="MathJax-Element-175-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ=ne2τm" id="MathJax-Element-38-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ=ne2τm" id="MathJax-Element-108-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ=ne2τm" id="MathJax-Element-164-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ=ne2τm" id="MathJax-Element-68-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ=ne2τm" id="MathJax-Element-78-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ=ne2τm" id="MathJax-Element-363-Frame" role="presentation" style="position: relative;" tabindex="0">σ=ne2τm σ=ne2τm .
 

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 3:

एक धातु का तार स्थिर विभवान्तर में रखा जाता है। जब धातु के तार का तापमान बढ़ता है, तो उसमें इलेक्ट्रॉन का अपवाह वेग (ड्रिफ्ट वेलोसिटी) ______

नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर द्वारा रिक्त स्थान भरें।

  1. बढ़ता है, इलेक्ट्रॉनों का तापीय वेग घटता है।
  2. घटता है, इलेक्ट्रॉनों का तापीय वेग घटता है
  3. बढ़ता है, इलेक्ट्रॉनों का तापीय वेग बढ़ता है
  4. घटता है, इलेक्ट्रॉनों का तापीय वेग बढ़ता है

Answer (Detailed Solution Below)

Option 4 : घटता है, इलेक्ट्रॉनों का तापीय वेग बढ़ता है

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 3 Detailed Solution

संप्रत्यय:

जैसे-जैसे तापमान बढ़ता है, इलेक्ट्रॉनों का तापीय वेग भी बढ़ता है, जो बढ़े हुए यादृच्छिक गति के कारण होता है। इससे इलेक्ट्रॉनों और परमाणुओं के बीच अधिक बार टक्कर होती है।

व्याख्या:

टक्करों में वृद्धि के साथ, दो क्रमागत टक्करों के बीच का औसत समय, जिसे विश्राम समय (τ) के रूप में जाना जाता है, घट जाता है। चूँकि अपवाह वेग (vd) विश्राम समय के समानुपाती होता है (vd = eEτ/m), अपवाह वेग भी घट जाता है।

निष्कर्ष: तापमान में वृद्धि से विश्राम समय और अपवाह वेग में कमी आती है।

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 4:

एक चालक में अपवाह वेग और विद्युत क्षेत्र के परिमाण का अनुपात क्या होगा ?

  1. सामग्री की चालकता
  2. इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता
  3. सामग्री की प्रतिरोधकता
  4. उपर्युक्त में से एक से अधिक
  5. उपर्युक्त में से कोई नहीं

Answer (Detailed Solution Below)

Option 2 : इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 4 Detailed Solution

अवधारणा:

  • इलेक्ट्रॉनों की गति पर विद्युत क्षेत्र के प्रभाव के माप को इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता कहा जाता है।
    • इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अपवाह वेग और विद्युत क्षेत्र के परिमाण का अनुपात है।

मुक्त इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μ) द्वारा दी जाती है:
 

\(\mu =\frac{e~\tau }{m} = V_d/E\)

जहां e एक इलेक्ट्रॉन पर आवेश है, m एक इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान है और τ विश्रांति समय है, Vd अपवाह वेग है और E विद्युत क्षेत्र है ।

व्याख्या:

  1. विद्युत का संचालन करने के लिए एक चालक का गुणधर्म सामग्री की चालकता है।
  2. एक चालक में अपवाह वेग और विद्युत क्षेत्र के परिमाण का अनुपात इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता है। इसलिए विकल्प 2 सही है।
  3. विद्युत धारा का अवरोध करने के लिए सामग्री के गुणधर्म को सामग्री की प्रतिरोधकता कहा जाता है।
  4.  सामग्री का परावैद्युतांक संपत्ति है जो विद्युत क्षेत्र के गठन का विरोध करता है।

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 5:

(A) चालक के तापमान में वृद्धि के साथ इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग घटता है।

(B) अपवाह वेग दिए गए चालक के अनुप्रस्थ काट के क्षेत्रफल के व्युत्क्रमानुपाती होता है।

(c) अपवाह वेग चालक पर लागू विभवांतर पर निर्भर नहीं करता है।

(D) इलेक्ट्रॉन का अपवाह वेग चालक की लंबाई के व्युत्क्रमानुपाती होता है।

(E) चालक के तापमान में वृद्धि के साथ अपवाह वेग बढ़ता है।

नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर का चयन कीजिए:

  1. (A) और (B) केवल
  2. (A) और (D) केवल
  3. (B) और (E) केवल
  4. (B) और (C) केवल

Answer (Detailed Solution Below)

Option 1 : (A) और (B) केवल

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 5 Detailed Solution

व्याख्या:

विकल्प (A):

जैसे-जैसे चालक का तापमान बढ़ता है, जालक परमाणुओं का तापीय उत्तेजन बढ़ता है, जिससे इलेक्ट्रॉनों और परमाणुओं के बीच अधिक बार संघट्ट होता है। इससे प्रतिरोध बढ़ता है और इलेक्ट्रॉनों का औसत अपवाह वेग कम हो जाता है।

विकल्प (B):

सूत्र से
vd = I/neA

हम देखते हैं कि अपवाह वेग अनुप्रस्थ काट के क्षेत्रफल A के व्युत्क्रमानुपाती होता है।

जैसे-जैसे क्षेत्रफल बढ़ता है, समान धारा के लिए अपवाह वेग घटता है।

Vd तापमान में वृद्धि के साथ घटता है और Vd अनुप्रस्थ काट के क्षेत्रफल के व्युत्क्रमानुपाती होता है।

∴ सही विकल्प 1 है। 

Top Drift of Electrons and the Origin of Resistivity MCQ Objective Questions

यदि विद्युत धारा ले जाने वाले तारों के अनुप्रस्थ काट क्षेत्र में वृद्धि होती है तो इलेक्ट्रॉनों के अपवाह वेग का क्या होता है? (अन्य सभी मापदंडों को स्थिर रखें)

  1. कम हो जाता है
  2. वही रहता है
  3. बढ़ता है
  4. पूर्वानुमान नहीं कर सकते

Answer (Detailed Solution Below)

Option 1 : कम हो जाता है

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 6 Detailed Solution

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सही विकल्प 1 है।

अवधारणा :

अपवाह वेग: किसी सामग्री में, विद्युत क्षेत्र के कारण आवेशित कणों द्वारा प्राप्त औसत वेग को अपवाह वेग कहा जाता है।

इलेक्ट्रॉनों के अपवाह वेग की गणना निम्न द्वारा की जाती है:

\(\Rightarrow v_d=\frac{I}{neA}\)

जहां I = तार में धारा, n = तार में मुक्त इलेक्ट्रॉनों का संख्या घनत्व, A = तार का अनुप्रस्थ काट क्षेत्र और e = एक इलेक्ट्रॉन पर आवेश

व्याख्या:

अनुप्रस्थ काट क्षेत्र A और धारा I के धारा-ले जाने वाले तार में इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग है

\(\Rightarrow v=\frac{I}{neA}\)

ऊपर से, यह स्पष्ट है कि अपवाह वेग चालक के अनुप्रस्थ काट क्षेत्र के विपरित आनुपातिक है । इसलिए यदि तार के अनुप्रस्थ काट क्षेत्र को बढ़ाया जाता है तो इलेक्ट्रॉन का अपवाह वेग कम हो जाता है । इसलिए विकल्प 1 सही है।

अनुप्रस्थ काट क्षेत्र A और धारा I के धारा ले जाने वाले तार में इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग v है। यदि विद्युत् धारा और अनुप्रस्थ काट क्षेत्र को दोगुना कर दिया जाए तो नया अपवाह वेग _________।

  1. 2 गुना होगा
  2. 4 गुना होगा
  3. आधा होगा
  4. समान रहेगा

Answer (Detailed Solution Below)

Option 4 : समान रहेगा

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 7 Detailed Solution

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सही विकल्प 4 है

अवधारणा :

अपवाह वेग: किसी सामग्री में विद्युत क्षेत्र के कारण आवेशित कणों द्वारा प्राप्त औसत वेग को अपवाह वेग कहा जाता है।

इलेक्ट्रॉनों के अपवाह वेग की गणना निम्न द्वारा की जाती है:

\(\Rightarrow v_d=\frac{I}{neA}\)

जहां I = तार में धारा, n = तार में मुक्त इलेक्ट्रॉनों का संख्या घनत्व, A = तार का अनुप्रस्थ काट क्षेत्र और e = एक इलेक्ट्रॉन पर आवेश

गणना:

अनुप्रस्थ काट क्षेत्र A और धारा I के धारा-ले जाने वाले तार में इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग है

\(\Rightarrow v=\frac{I}{neA}\)

इलेक्ट्रॉन का अपवाह वेग जब विद्युत धारा और अनुप्रस्थ काट क्षेत्र दोगुना हो जाता है

\(\Rightarrow v'=\frac{I'}{neA'}=\frac{2I}{2neA}=v\) \([\because v=\frac{I}{neA}]\)

इसलिए नया अपवाह वेग समान रहेगा। इसलिए विकल्प 4 सही है।

एक धातु चालक के माध्यम से इलेक्ट्रॉन अपवाह का अध्ययन करते समय प्रति इकाई विद्युत क्षेत्र अपवाह वेग (जिसे गतिशीलता कहा जाता है) का परिमाण किसके बराबर है? (जहाँ e एक इलेक्ट्रॉन पर आवेश है, m एक इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान है, E विद्युत क्षेत्र है, τ विश्राम का समय है और n प्रति इकाई आयतन मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या है)

  1. ne2τE/m
  2. ne2τ/m
  3. eτ/m
  4. σE

Answer (Detailed Solution Below)

Option 3 : eτ/m

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 8 Detailed Solution

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अवधारणा:

अपवाह वेग: किसी सामग्री में, विद्युत क्षेत्र के कारण आवेशित कणों द्वारा प्राप्त औसत वेग को अपवाह वेग कहा जाता है।

इलेक्ट्रॉनों के अपवाह के वेग की गणना निम्न द्वारा की जाती है:

\(v=\frac{I}{neA}\)

जहां v अपवाह वेग है, I तार में धारा है, n तार में मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या घनत्व है, A तार का अनुप्रस्थ काट क्षेत्र है, और e एक इलेक्ट्रॉन पर आवेश है।

गतिशीलता: प्रति इकाई विद्युत क्षेत्र में अपवाह वेग को गतिशीलता कहा जाता है।

μ = vd/E

जहां vd अपवाह वेग है, E विद्युत क्षेत्र है और μ गतिशीलता है।

यदि q विद्युत आवेश है, m आवेश का द्रव्यमान है, और τ विश्राम का समय है तो गतिशीलता-

μ = qτ/m

गणना:

गतिशीलता μ = qτ/E

यहाँ आवेश इलेक्ट्रॉन पर है q = e

so μ = eτ / m

इसलिए सही उत्तर विकल्प 3 है।

एक चालक में अपवाह वेग और विद्युत क्षेत्र के परिमाण का अनुपात क्या होगा ?

  1. सामग्री की चालकता
  2. इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता
  3. सामग्री की प्रतिरोधकता
  4. सामग्री का परावैद्युतांक

Answer (Detailed Solution Below)

Option 2 : इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 9 Detailed Solution

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अवधारणा:

  • इलेक्ट्रॉनों की गति पर विद्युत क्षेत्र के प्रभाव के माप को इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता कहा जाता है।
    • इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अपवाह वेग और विद्युत क्षेत्र के परिमाण का अनुपात है।

मुक्त इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μ) द्वारा दी जाती है:
 

\(\mu =\frac{e~\tau }{m} = V_d/E\)

जहां e एक इलेक्ट्रॉन पर आवेश है, m एक इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान है और τ विश्रांति समय है, Vd अपवाह वेग है और E विद्युत क्षेत्र है ।

व्याख्या:

  1. विद्युत का संचालन करने के लिए एक चालक का गुणधर्म सामग्री की चालकता है।
  2. एक चालक में अपवाह वेग और विद्युत क्षेत्र के परिमाण का अनुपात इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता है। इसलिए विकल्प 2 सही है।
  3. विद्युत धारा का अवरोध करने के लिए सामग्री के गुणधर्म को सामग्री की प्रतिरोधकता कहा जाता है।
  4.  सामग्री का परावैद्युतांक संपत्ति है जो विद्युत क्षेत्र के गठन का विरोध करता है।

किसी धातु में इलेक्ट्रॉनों के लिए अपवाह चाल की दिशा क्या होती है?

  1. लागू  क्षेत्र के विपरीत
  2. लागू क्षेत्र के समान
  3. उस पर लागू क्षेत्र के लिए लंबवत
  4. लागू क्षेत्र की दिशा पर निर्भर नहीं करता है

Answer (Detailed Solution Below)

Option 1 : लागू  क्षेत्र के विपरीत

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 10 Detailed Solution

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संकल्पना:

  • संचय वेग: यह विद्युत क्षेत्र के कारण एक पदार्थ में आवेशित कण (उदाहरण इलेक्ट्रॉन) द्वारा प्राप्त औसत वेग होता है। 
    • इलेक्ट्रॉन जैसे उपआणविक कण हर समय यादृच्छिक दिशाओं में गति करते हैं। 
    • जब इलेक्ट्रॉन विद्युत क्षेत्र के अधीन होते हैं, तो वे यादृच्छिकता रूप से गति करते हैं, लेकिन वे लागू विद्युत क्षेत्र की दिशा में धीरे-धीरे एक दिशा में संचय करते हैं। 
  • संचय वेग का गणितीय समीकरण निम्न है

\(⇒ v_d=\frac{-eEτ}{m}\)

जहाँ e = इलेक्ट्रॉन पर आवेश, m = इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान, E = विद्युत क्षेत्र और τ = औसत शिथिलन समय। 

वर्णन:

  • संचय वेग का गणितीय समीकरण निम्न है

\(⇒ v_d=\frac{-eEτ}{m}\)

  • यहां नकारात्मक संकेत दिखाता है कि अपवाह चाल लागू विद्युत क्षेत्र की दिशा के विपरीत है।

अभिव्यक्ति eτ/m, जहाँ 'τ' विश्रांति समय, 'e' आवेश और 'm' एक इलेक्ट्राॅन का द्रव्यमान है जो  ______________के बराबर होता है।

  1. सामग्री की चालकता
  2. इलेक्ट्राॅन की गतिशीलता
  3. सामग्री की प्रतिरोधकता 
  4. सामग्री की विद्युतशीलता

Answer (Detailed Solution Below)

Option 2 : इलेक्ट्राॅन की गतिशीलता

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 11 Detailed Solution

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संकल्पना:

  • इलेक्ट्रॉनों की गति पर विद्युत क्षेत्र के प्रभाव के मापन को इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता कहा जाता है।
    • इलेक्ट्राॅन की गतिशीलता अपवहन वेग और विद्युत क्षेत्र के  परिमाण का अनुपात होती है।

मुक्त इलेक्ट्राॅन की गतिशीलता(μ) निम्न द्वारा दी जाती है:

\(\mu =\frac{e~\tau }{m} = V_d/E\)

जहाँ  e इलेक्ट्राॅन पर आवेश, m इलेक्ट्राॅन का द्रव्यमान और τ विश्रांति समय, Vd अपवहन वेग और E विद्युत क्षेत्र है। 

स्पष्टीकरण:

  1. चालकता विद्युत धारा के संचालन की क्षमता है।
  2. अभिव्यक्ति eτ/m इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता के बराबर है। तो विकल्प 2 सही है।
  3. प्रतिरोधकता विद्युत धारा के प्रवाह का विरोध करने की क्षमता होती है।
  4. पारगम्यता विद्युत स्थितिज ऊर्जा को संग्रहीत करने की क्षमता होती है।

इलेक्ट्रॉन संचय गति छोटी होती है और इलेक्ट्रॉन का आवेश भी छोटा होता है लेकिन फिर भी हम चालक में अधिक धारा प्राप्त करते हैं। तो यह किसके कारण होता है?

  1. चालक का संवाही गुण
  2. चालक का प्रतिरोध छोटा होता है
  3. चालक की इलेक्ट्रॉन संख्या घनत्व छोटी होती है
  4. चालक की इलेक्ट्रॉन संख्या घनत्व विशाल होती है

Answer (Detailed Solution Below)

Option 4 : चालक की इलेक्ट्रॉन संख्या घनत्व विशाल होती है

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 12 Detailed Solution

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संकल्पना:

  • संचय वेग: यह किसी विद्युत क्षेत्र के कारण पदार्थ में आवेशित कणों (उदाहरण - इलेक्ट्रॉन) द्वारा प्राप्त औसत वेग होता है। 
    • इलेक्ट्रॉन जैसे उपआणविक कण सभी समय यादृच्छिक दिशाओं में गति करते हैं। 
    • जब इलेक्ट्रॉन विद्युत क्षेत्र के अधीन होते हैं, तो वे यादृच्छिकता से गति करते हैं, लेकिन वे धीरे-धीरे उस एक दिशा में संचय करते हैं, जिस दिशा में विद्युत क्षेत्र को लागू किया जाता है। 
  • संचय वेग का गणितीय समीकरण निम्न है

\(v_d=\frac{-eEτ}{m}\)

यहाँ ऋणात्मक चिन्ह यह दर्शाता है कि संचय वेग विद्युत क्षेत्र की दिशा के विपरीत होता है। 

जहाँ e = इलेक्ट्रॉन का आवेश, m = इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान, E = विद्युत क्षेत्र और τ = औसत विश्रांति समय। 

  • एक धात्विक चालक में धारा को निम्न द्वारा ज्ञात किया गया है

⇒ I = neAVd

जहाँ n = आवेश वाहकों की संख्या, e = आवेश, A = क्षेत्रफल, Vd = संचय वेग 

वर्णन:

  • एक धात्विक चालक में धारा को निम्न द्वारा ज्ञात किया गया है

⇒ I = neAVd

जहाँ n = आवेश वाहकों की संख्या, e = आवेश, A = क्षेत्रफल, Vd = संचय वेग 

  • चालक आवेश (इलेक्ट्रॉन) वाहकों के संकेन्द्रण में पर्याप्त होते हैं, इसलिए चालक में आवेश वाहक घनत्व ≈ 1028 Cm-3 है। आवेश वाहकों का यह अधिक प्रयाप्त धनत्व विद्युत धारा को परिमाण में अधिक बनाता है भले ही संचय वेग कम होता है। 
  • अतः विकल्प 4 सही उत्तर है। 

एक धातु चालक के माध्यम से इलेक्ट्रॉन अपवाह का अध्ययन करते समय, सामग्री के चालकता (σ) किसके बराबर है? (जहाँ e एक इलेक्ट्रॉन पर आवेश है, m एक इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान है, E विद्युत क्षेत्र है, τ विश्राम का समय है और n प्रति इकाई आयतन मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या है)

  1. ne2τE/m
  2. ne2τ/m
  3. σE
  4. eτ/m

Answer (Detailed Solution Below)

Option 2 : ne2τ/m

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 13 Detailed Solution

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अवधारणा:

  • इलेक्ट्रॉनों की गति पर विद्युत क्षेत्र के प्रभाव को मापने को इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता कहा जाता है।
    • इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता अपवाह वेग और विद्युत क्षेत्र के परिमाण का अनुपात है।

मुक्त इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता (μ) निम्न द्वारा दी जाती है:

\(\mu =\frac{e~τ }{m} = V_d/E\)

जहां e एक इलेक्ट्रॉन पर आवेश है, m एक इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान है और τ विश्रांति समय है, Vअपवाह वेग है और E विद्युत क्षेत्र है ।

अपवाह वेग (Vd) = \(\frac{e~τ }{m}E\)

विद्युत धारा (I) निम्न द्वारा दी गई है:

I = n e A Vd

जहाँ n प्रति इकाई आयतन मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या है, e एक इलेक्ट्रॉन पर आवेश है, A क्षेत्रफल है।

प्रतिरोध निम्न द्वारा दिया गया है:

R = L/σA

जहां L लंबाई है और σ चालकता है

व्याख्या:

चूँकि I = n e A Vd = n e A (\(\frac{e~τ }{m}E\))

⇒ I = n e A (eτ/m) × (V/L)

चूँकि विद्युत् विभव (V) = E.L 

⇒ (m L)/(n e2 τ A) = L/σ A

तो σ = ne2τ/m

इसलिए विकल्प 2 सही है।

यदि चालक में 'E' एक समान विद्युत क्षेत्र का परिमाण है, तो 'τ' विश्रांति का समय है, ('e' आवेश है और 'm' एक इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान है), तब, पद -eEτ/m इलेक्ट्रॉन _______ है। 

  1. द्वारा अनुभव किया गया बल
  2. द्वारा अनुभव किया गया त्वरण
  3. का अपवाह वेग
  4. के कारण घनत्व

Answer (Detailed Solution Below)

Option 3 : का अपवाह वेग

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 14 Detailed Solution

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अवधारणा:

  • अपवाह वेग: किसी विद्युत क्षेत्र के कारण किसी पदार्थ में आवेशित कणों (जैसे इलेक्ट्रॉन) द्वारा प्राप्त औसत वेग।
  • इलेक्ट्रॉनों जैसे उप-परमाणु कण हर समय यादृच्छिक दिशाओं में गति करते हैं।
  • जब इलेक्ट्रॉनों को एक विद्युत क्षेत्र के अधीन किया जाता है, तो वे अनियमित रूप से गति करते हैं, लेकिन वे धीरे-धीरे एक दिशा में प्रवाहित होते हैं, जो लागू किए गए विद्युत प्रवाह की दिशा है।
  • अपवाह वेग की गणितीय अभिव्यक्ति है-

    \(v_d=\frac{-eEτ}{m}\)

    यहां ऋणात्मक संकेत दिखाता है किअपवाह वेग विद्युत क्षेत्र की दिशा के विपरीत है।

    जहां e = इलेक्ट्रॉन पर आवेश, m =इलेक्ट्रान का द्रव्यमान, E = विद्युत क्षेत्र और  τ =औसत विश्रांति समय

    व्याख्या:

  • अपवाह वेग की गणितीय अभिव्यक्ति है

इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग ________ के सीधे अनुक्रमानुपाती होता है:

  1. तापमान
  2.  वोल्टता अनुप्रयुक्त
  3.  चालक की लंबाई
  4. चालक के अनुप्रस्थ काट के क्षेत्रफल

Answer (Detailed Solution Below)

Option 2 :  वोल्टता अनुप्रयुक्त

Drift of Electrons and the Origin of Resistivity Question 15 Detailed Solution

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अवधारणा:

  • इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग औसत वेग को दर्शाता करता है जिस पर एक विद्युत क्षेत्र के प्रभाव में एक चालक में मुक्त इलेक्ट्रॉनों का बहाव होता है।
  • जब किसी चालक पर वोल्टता लगाया जाता है, तो उत्पन्न विद्युत क्षेत्र मुक्त इलेक्ट्रॉनों को गति देता है और वे विद्युत क्षेत्र की दिशा में गति करना प्रारम्भ कर देते हैं।
  • हालांकि, चालक में उपस्थित परमाणुओं और अन्य इलेक्ट्रॉनों के साथ टकराव के कारण मुक्त इलेक्ट्रॉन एक स्थिर वेग के साथ नहीं चलते हैं, बल्कि विद्युत क्षेत्र की दिशा में एक छोटे, औसत वेग से चलते हैं। इस औसत वेग को अपवाह वेग कहा जाता है।
  • एक चालक में इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग विभिन्न कारकों पर निर्भर करता है जैसे लागू  वोल्टता, चालक की सामग्री का प्रकार, मुक्त इलेक्ट्रॉनों का घनत्व और तापमान।
  • हालांकि, कमरे के तापमान पर एक विशिष्ट धात्विक चालक में, इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग सामान्य रूप से कुछ मिलीमीटर प्रति सेकंड के क्रम पर होता है, जो प्रकाश की चाल या ध्वनि की चाल की तुलना में काफी धीमा होता है।

इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग एक चालक में लगाए गए  वोल्टता के सीधे अनुक्रमानुपाती होता है।

विकल्पों में उल्लिखित अन्य कारक, जैसे कि तापमान, चालक की लंबाई और चालक के अनुप्रस्थ काट का क्षेत्रफल, चालक  के प्रतिरोध को प्रभावित कर सकते हैं, परन्तु वे सीधे इलेक्ट्रॉनों के अपवाह वेग को प्रभावित नहीं करते हैं।

अतः, प्रश्न का सही उत्तर (2) है।

Additional Information

इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग चालक पर अनुप्रयुक्त विद्युत क्षेत्र के सीधे अनुक्रमानुपाती होता है।

इसका तात्पर्य यह है कि जैसे-जैसे विद्युत क्षेत्र की  तीव्रता बढ़ती है, चालक में इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग भी बढ़ता जाता है। गणितीय रूप से, अपवाह वेग और विद्युत क्षेत्र के बीच संबंध निम्नलिखित समीकरण द्वारा वर्णित है:

vd = μE

जहाँ, vd अपवाह वेग है,

E विद्युत क्षेत्र की तीव्रता  है, और

μ इलेक्ट्रॉन गतिशीलता है, जो एक भौतिक गुण है जो बताता है कि सामग्री के माध्यम से इलेक्ट्रॉन कितनी आसानी से स्थानांतरित हो सकते हैं।

किसी दिए गए विद्युत क्षेत्र की तीव्रता के लिए इलेक्ट्रॉन गतिशीलता जितनी अधिक होगी, अपवाह वेग उतना ही अधिक होगा।

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