तापमान वाढल्यामुळे ट्रान्झिस्टरच्या बेस एमिटर व्होल्टेजचे काय होते?

Question

Question

This question was previously asked in

RRB ALP CBT 2 Electronic Mechanic Previous Paper: Held on 23 Jan 2019 Shift 1

Answer 1

स्पष्टीकरण;

NPN आणि PNP ट्रान्झिस्टरची योजनाबद्धता

बेस एमिटर व्होल्टेज म्हणजे डायोडवर व्होल्टेज कमी होणे.

स्पष्टीकरणासाठी आपण येथे NPN कॉन्फिगरेशनचा विचार करत आहोत.

निज संहतिची व्याख्या खालीलप्रमाणे आहे:

डायोडचे बांध विभव असे परिभाषित केले जाते:

तापमानानुसार डायोड वैशिष्ट्यांमधील फरक आहे:

सामान्यतः, जेव्हा सेमीकंडक्टर उपकरणे गरम केली जातात तेव्हा प्रभारित वाहकांची हालचाल होते, कारण हे प्रभार वाहक सहसंयोजक बंधनातून मुक्त होतात.
प्रभार वाहक आधीपासून चालत असलेल्या प्रभार वाहकांना जोडतात आणि त्यांच्याशी संरेखित करतात, म्हणजे, त्यांच्याकडे हलविण्यासाठी अधिक ऊर्जा असते, ही ऊर्जा कंडक्शन बँड आणि व्हॅलेन्सी बँड अंतर कमी करते.
त्यामुळे फॉरवर्ड-व्होल्टेजमध्ये घट. सामान्यतः, तापमानात प्रत्येक अंश वाढीसाठी, फॉरवर्ड बायस व्होल्टेजमध्ये 2.5 mV कमी होते.
जसजसे तापमान वाढते तसतसे बेस-एमिटर व्होल्टेज कमी होईल.

टीप:

Ge ट्रान्झिस्टरमध्ये VBE तापमानात 2.1 mV/°C वाढीने कमी होते

Si ट्रान्झिस्टरमध्ये VBE तापमानात 2.3 mV/°C वाढीने कमी होते

सर्वसाधारणपणे VBE तापमानात 2.5 mV/°C वाढीने कमी होते.