रसायनिक अधिशोषणासंदर्भात खालीलपैकी कोणते विधान योग्य आहे?

संकल्पना:

रासायनिक अधिशोषण:

• रासायनिक अधिशोषण किंवा केमिसॉर्प्शन हे एक प्रकारचे शोषण आहे ज्यामध्ये पृष्ठभाग आणि शोषक यांच्या दरम्यान रासायनिक प्रतिक्रिया समाविष्ट असते. शोषक पृष्ठभागावर नवीन रासायनिक बंध तयार होतात.
• पृष्ठभागावरील प्रतिक्रिया ही समाविष्ट असलेल्या रासायनिक प्रजातींवर अवलंबून असते. शोषण प्रतिक्रिया साठी गिब्स ऊर्जा समीकरण लागू करणे. आता, स्थिर तापमान आणि दाबावर उत्स्फूर्त प्रतिक्रियांसाठी, गिब्स मुक्त उर्जेतील बदल ऋण असावा.
• रासायनिक अधिशोषणामध्ये शोषक कण पृष्ठभागावर रोखला जात असल्याने, एन्ट्रॉपी कमी केली जाते. याचा अर्थ गिब्स मुक्त ऊर्जा  ऋण करण्यासाठी ऋण असणे आवश्यक आहे. अशाप्रकारे, केमिसोर्प्शन ही एक उष्मोत्सर्गी प्रक्रिया आहे.

स्पष्टीकरण:

• रासायनिक अधिशोषण प्रक्रियेचे अनुसरण करते. पहिल्या टप्प्यात, शोषक कण पृष्ठभागाच्या संपर्कात आला.
• जे कण नंतर पृष्ठभागावर अडकतात त्यांच्याकडे वायू-पृष्ठभागाची क्षमता चांगली सोडण्यासाठी पुरेशी ऊर्जा नसते. जर पृष्ठभागावरील शोषक कणांची टक्कर लवचिक असेल तर ते मोठ्या प्रमाणात वायूकडे परत येईल.
• सहसंयोजक किंवा आयनिक बंध तयार करण्यासाठी अधिशोषित आणि अधिशोषकांच्या पृष्ठभागामध्ये दोन इलेक्ट्रॉन्सच्या महत्त्वपूर्ण सामायिकरणाद्वारे केमिसॉर्प्शन किंवा रासायनिक शोषण प्राप्त केले जाते.
• अशा प्रकारे, रासायनिक अधिशोषणाबद्दल योग्य विधान रासायनिक अधिशोषण रासायनिक बंधांच्या निर्मितीमुळे होते हे आहे.