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NPN ट्रांजिस्टर में बहुसंख्य आवेश वाहक होते हैं-

This question was previously asked in
RSMSSB JE Electrical (Diploma) 19 May 2022 Official Paper
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  1. इलेक्ट्रॉन
  2. होल्स
  3. त्रिसंयोजक अणु
  4. पंचसंयोजक अणु

Answer (Detailed Solution Below)

Option 1 : इलेक्ट्रॉन
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Latest RSMSSB JE Updates

Last updated on May 12, 2025

-> RSMSSB JE Answer Key 2025 has been released on 12th May, 2025 at the official website.

-> Candidates can raise objections against the RSMSSB JE Response Sheet from 17th May to 19th May, 2025.

-> The RSMSSB JE Vacancies have been revised. A total, 1355 vacancies are announced for Junior Engineer post in various departments.

-> The exam was held on 6th, 7th, 8th, 10th, 11th, and 22nd of February 2025.

-> RSMSSB Junior Engineer 2025 Notification has been released for 1226 vacancies.

-> Candidates can apply for the said post by 27th December 2024.

-> The RSMSSB Junior Engineer exam is conducted by the Rajasthan Subordinate and Ministerial Services Selection Board to recruit candidates for engineering roles in various departments.

-> The finally appointed candidates will be entitled to Pay Matrix Level 10.

-> Prepare for the exam with RSMSSB JE Previous Year Papers.

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More Types of BJT Questions

Q1.'एमिटर-बेस जंक्शन सक्रिय संचालनों के लिए अग्र-अभिनत होता है', यह कथन निम्न में से किस विकल्प के लिए मान्य है?
Q2.एक अनभिनत pnp ट्रांजिस्टर में, अवरोधक वोल्टेज आधार पर ______ और उत्सर्जक और संग्राहक पर ______ होते हैं।
Q3.एक एन्हेन्समेंट टाइप NMOS ट्रांजिस्टर Vt = 0.7 वोल्ट के साथ का सोर्स टर्मिनल ग्राउंडेड है और उसके गेट टर्मिनल पर 1.5 वोल्ट दिया गया है। तब VD = 0.5 वोल्ट के लिए डिवाइस किस क्षेत्र में संचालित होगी?
Q4.द्विध्रुवीय संधि ट्रांजिस्टर के उभयनिष्ट(काॅमन) आधार अभिविन्यास में निम्नलिखित में से कौन सा पैरामीटर बहुत अधिक होगा?
Q5.एन.पी.एन. ट्रांजिस्टर में बहुसंख्य आवेश वाहक होते हैं-
Q6.In a BJT switching circuit, supply voltage is VCC = 9 V, biasing resistors are RB = 15kΩ, RC = 6.8 kΩ and the transistor has an hFE value of 25. What is the minimum input voltage required to switch the transistor into saturation when VCE = 0.2 V?
Q7.इन्वर्टर के संदर्भ में निम्नलिखित में से कौन सा परिपथ सही है? (i) (ii) (iii) (iv)
Q8.In an n-p-n transistor operating in saturated mode, the output voltage VCE is 
Q9.दी गई आकृति ______ ट्रांजिस्टर का प्रतिनिधित्व करती है।

More Bipolar Junction Transistors Questions

Q1.सक्रिय क्षेत्र में PNP ट्रांजिस्टेर के संदर्भ में निम्न में से कौन सा कथन सही है?
Q2.DC धारा लब्धि (DC करंट गेन) को _______ के रूप में परिभाषित किया जाता है।
Q3.निम्नलिखित में से कौन-सा पदार्थ ट्रांजिस्टर उपकरण में उपयोग किया जाता है?
Q4.'एमिटर-बेस जंक्शन सक्रिय संचालनों के लिए अग्र-अभिनत होता है', यह कथन निम्न में से किस विकल्प के लिए मान्य है?
Q5.एक सामान्य उत्सर्जक ट्रांजिस्टर के कलेक्टर-टू-बेस बायस विन्यास में निहित रूप से किसका उपयोग किया जाता है?
Q6.CE विन्यास में, संग्राहक आपूर्ति वोल्टेज VCC = 10 v और RC = 8 ΚΩ है। यदि आधार धारा IB = 15 μA और β = 40 है, तो शून्य सिग्नल के लिए स्थिर बिंदु Q निर्धारित करें।
Q7.ट्रांजिस्टर का संचालन बिंदु _______ के रूप में जाना जाता है।
Q8.एक स्थिर अभिनति परिपथ में सिलिकॉन NPN ट्रांजिस्टर, उभयनिष्ट उत्सर्जक विन्यास जिसमें β = 50 का उपयोग किया जाता है। जब RB = 106 Ω, RC = 5 kΩ और VCC = 10V हो, तो स्थिर बिंदु पर VCE की गणना कीजिए।
Q9.एक उभयनिष्ट आधार विन्यास में एक ट्रांजिस्टर के लिए धारा प्रवर्धन कारक 0.75 है। यदि उत्सर्जक धारा 4A है, तो आधार धारा ज्ञात कीजिए।
Q10.स्थायित्व कारक को _______ के सापेक्ष _______ में परिवर्तन की दर के रूप में परिभाषित किया जाता है, आधार धारा और धारा लाभ β दोनों को स्थिर रखते हुए।
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More Analog Electronics Questions

Q1.सक्रिय क्षेत्र में PNP ट्रांजिस्टेर के संदर्भ में निम्न में से कौन सा कथन सही है?
Q2.DC धारा लब्धि (DC करंट गेन) को _______ के रूप में परिभाषित किया जाता है।
Q3.लोड प्रतिबाधा का आदर्श रूप से उपयोग _______ को सीमित करने के लिए किया जाता है।
Q4.दिष्टकारी यंत्र _________ से मुक्त नहीं है।
Q5.सिग्नल जनरेटर में एटेन्यूएटर का उपयोग _____________  के लिए किया जाता है।
Q6.निम्नलिखित में से कौन-सा पदार्थ ट्रांजिस्टर उपकरण में उपयोग किया जाता है?
Q7.'एमिटर-बेस जंक्शन सक्रिय संचालनों के लिए अग्र-अभिनत होता है', यह कथन निम्न में से किस विकल्प के लिए मान्य है?
Q8.MOSFET को विद्युत-रोधित गेट ________ के रूप में भी जाना जाता है।
Q9.JFET (जंक्शन क्षेत्र प्रभावित ट्रांजिस्टर) के संदर्भ में निम्न में से कौन-सा कथन सही है?
Q10.एक सामान्य उत्सर्जक ट्रांजिस्टर के कलेक्टर-टू-बेस बायस विन्यास में निहित रूप से किसका उपयोग किया जाता है?
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