MOSFET MCQ Quiz in తెలుగు - Objective Question with Answer for MOSFET - ముఫ్త్ [PDF] డౌన్‌లోడ్ కరెన్

మెటల్ ఆక్సైడ్ సిలికాన్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్లు (MOSFET)

• ఇది వోల్టేజ్-నియంత్రిత మూడు-టెర్మినల్ పరికరం, ఇది స్విచింగ్ మరియు యాంప్లిఫికేషన్ ప్రయోజనాల కోసం ఉపయోగించబడుతుంది.
• టెర్మినల్స్ డ్రైఇన్,గెట్ మరియు సోర్స్.
• MOSFETలు రెండు తరగతులకు చెందినవి: ఎన్‌హాన్స్‌మెంట్ మోడ్ మరియు డిప్లిషన్ మోడ్. ప్రతి తరగతి n-ఛానల్ లేదా p-ఛానల్‌గా అందుబాటులో ఉంటుంది.
• గేట్ వద్ద ఉన్న వోల్టేజ్ MOSFET యొక్క ఆపరేషన్‌ను నియంత్రిస్తుంది. ఈ సందర్భంలో, ఛానెల్ నుండి ఇన్సులేట్ చేయబడినందున సానుకూల మరియు ప్రతికూల వోల్టేజ్‌లు గేట్‌కు వర్తించవచ్చు.
• ప్రతికూల గేట్ బయాస్ వోల్టేజ్‌తో, ఇది క్షీణత MOSFET వలె పనిచేస్తుంది, అయితే ధనాత్మక గేట్ బయాస్ వోల్టేజ్‌తో, ఇది ఎన్‌హాన్స్‌మెంట్ MOSFET వలె పనిచేస్తుంది.
• MOSFET సాధారణ డ్రైఇన్ కాన్ఫిగరేషన్‌లలో అధిక ఇన్‌పుట్ నిరోధకత మరియు తక్కువ అవుట్‌పుట్ నిరోధకతను కలిగి ఉంది.

MOSFET:

MOSFET అనేది వోల్టేజ్-నియంత్రిత ఫీల్డ్-ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్.

ఇది "మెటల్ ఆక్సైడ్" గేట్ ఎలక్ట్రోడ్‌ను కలిగి ఉంటుంది, ఇది ప్రధాన అర్ధవాహకం n-ఛానల్ లేదా p-ఛానల్ నుండి చాలా పలుచని పొర నిరోధ  ద్వారా సాధారణంగా గ్లాస్ అని పిలువబడే సిలికాన్ డయాక్సైడ్ (SiO2 ) ద్వారా విద్యుత్ ఇన్సులేట్ చేయబడింది.

ఇన్సులేటింగ్ SiO2 పొర అధిక ఇన్‌పుట్ నిరోధంను అందిస్తుంది.

MOSFET రెండు రకాలు:

క్షీణత రకం (D-MOSFET):

• సోర్స్ మరియు డ్రేన్ మధ్య భౌతిక పొర ఉనికి.
• మేము సోర్స్ మరియు గేట్ మధ్య ధనాత్మక మరియు  రెండింటినీ వర్తింపజేయవచ్చు.

మెరుగుదల రకం (e-MOSFET):

• సోర్స్ మరియు డ్రేన్ మధ్య భౌతిక పొర లేకపోవడం
• గేట్ మరియు మూలం మధ్య ఒక రకమైన ధ్రువణ వోల్టేజ్ మాత్రమే భౌతిక పొర ఏర్పడాలి.

MOSFET యొక్క చిహ్నం ప్రాతినిధ్యం:

CMOS:

• CMOS అంటే “కాంప్లిమెంటరీ మెటల్ ఆక్సైడ్ సెమీకండక్టర్ (కాంప్లిమెంటరీ MOSFET)” అని అర్థం.
• కంప్యూటర్ చిప్ డిజైన్ పరిశ్రమలో ఇది అత్యంత ప్రజాదరణ పొందిన సాంకేతికతలలో ఒకటి మరియు వివిధ అప్లికేషన్లలో ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్లను ఏర్పాటు చేయడానికి ఇది విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది.
• అనేక ప్రధాన ప్రయోజనాల కారణంగా నేటి కంప్యూటర్ మెమరీలు, CPUలు మరియు సెల్ ఫోన్లు ఈ సాంకేతికతను ఉపయోగిస్తున్నాయి.
• ఈ సాంకేతికత P ఛానెల్ మరియు N ఛానెల్ సెమీకండక్టర్ పరికరాల రెండింటినీ ఉపయోగిస్తుంది.
• నేడు అందుబాటులో ఉన్న అత్యంత ప్రజాదరణ పొందిన MOSFET సాంకేతికతలలో కాంప్లిమెంటరీ MOS లేదా CMOS సాంకేతికత ఒకటి.
• మైక్రోప్రాసెసర్లు, మైక్రోకంట్రోలర్ చిప్స్, RAM, ROM, EEPROM వంటి మెమరీలు మరియు అప్లికేషన్-నిర్దిష్ట ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్లు (ASICలు) కోసం ఇది ప్రధాన సెమీకండక్టర్ సాంకేతికత.

CMOS లాజిక్ గేట్ల ప్రయోజనాలు:​

1. అత్యంత పెద్ద ఫ్యాన్-అవుట్ సామర్థ్యం (>50).
2. అన్ని గేట్లలో అత్యల్ప శక్తి వినియోగం (కొన్ని nW).
3. చాలా ఎక్కువ శబ్ద-రోగనిరోధకత మరియు శబ్ద-మార్జిన్ (సాధారణంగా, VDD/2).
4. NMOS కంటే తక్కువ ప్రచారం జాప్యం.
5. NMOS కంటే ఎక్కువ వేగం. ప్రస్తుతం, 4 GHz (లేదా అంతకంటే ఎక్కువ) వేగంతో పనిచేసే కంప్యూటర్ చిప్‌లు ఓపెన్ మార్కెట్‌లో అందుబాటులో ఉన్నాయి.
6. పెద్ద లాజిక్ స్వింగ్ (=VDD).
7. ఒకే ఒక పవర్ సప్లై (+ VDD) అవసరం.
8. TTL గేట్లతో నేరుగా అనుకూలంగా ఉంటుంది.
9. ఉష్ణోగ్రత స్థిరత్వం అద్భుతంగా ఉంటుంది.
10. తక్కువ-వోల్టేజ్ (1.5 V) చిప్‌లు ఇప్పుడు అందుబాటులో ఉన్నాయి.

CMOS లాజిక్ గేట్ల లోపాలు:

1. అదనపు ప్రాసెసింగ్ దశల కారణంగా ఖర్చు పెరుగుతుంది. కానీ, ఇది సరిదిద్దబడుతోంది.
2. NMOS కంటే ప్యాకింగ్ సాంద్రత తక్కువ. పాస్-ట్రాన్సిస్టర్ లాజిక్ నిర్మాణాన్ని ఉపయోగించి, NMOS గేట్ కంటే సమానమైన లేదా అంతకంటే ఎక్కువ ప్యాకింగ్ సాంద్రత సాధ్యమవుతుంది.
3. స్థిర ఛార్జీలను పొందకుండా MOS చిప్‌లను రక్షించాలి, దీనికి లీడ్‌లను షార్ట్ చేసి ఉంచాలి. లీడ్‌లలో పొందిన స్థిర ఛార్జీలు చిప్‌ను నాశనం చేస్తాయి. ప్రస్తుతం ఈ సమస్యను బిల్ట్-ఇన్ రక్షణ పరికరాలు లేదా సర్క్యూట్లను ఉపయోగించి సరిదిద్దారు.
4. CMOS లాజిక్ కుటుంబం యొక్క ప్రధాన లోపం వాటి నెమ్మదిగా ఆపరేషన్ వేగం.
5. CMOS కుటుంబానికి ప్రచారం జాప్యం సమయం సుమారు 50nsగా ఉంటుంది, అయితే TTL లాజిక్ కుటుంబానికి ఇది సుమారు 4 నుండి 12 nsగా ఉంటుంది.

• n-ఛానల్ పరికరం విషయంలో వాహకాలుగా ఉండే ఎలక్ట్రాన్ల చలనశీలత, p-ఛానల్ పరికరంలో క్యారియర్లు అయిన రంధ్రాల కంటే ఎక్కువగా ఉంటుంది.
• అందువలన n-ఛానల్ పరికరం p-ఛానల్ పరికరం కంటే వేగంగా ఉంటుంది.
• N - ఛానల్ ట్రాన్సిస్టర్ అదే డై ఏరియా కోసం తక్కువ ఆన్-రెసిస్టెన్స్ మరియు గేట్ కెపాసిటెన్స్‌ని కలిగి ఉంటుంది .

ట్రాన్సిస్టర్‌గా పని చేయవచ్చు

1) ప్రస్తుత అద్దంలో నిరోధం

2) లెవెల్ షిఫ్టర్‌లో కెపాసిటర్

3) సంతృప్త(సేచురేషణ్) ప్రాంతంలో మూసివేయబడిన లేదా తెరవబడిన స్విచ్

4) కటాఫ్ మరియు సంతృప్త(సేచురేషణ్) ప్రాంతంలో ఇన్వర్టర్

5) క్రియాశీల ప్రాంతంలో యాంప్లిఫైయర్

ట్రాన్సిస్టర్‌గా పని చేయవచ్చు

1) ప్రస్తుత అద్దంలో నిరోధం

2) లెవెల్ షిఫ్టర్‌లో కెపాసిటర్

3) సంతృప్త(సేచురేషణ్) ప్రాంతంలో మూసివేయబడిన లేదా తెరవబడిన స్విచ్

4) కటాఫ్ మరియు సంతృప్త(సేచురేషణ్) ప్రాంతంలో ఇన్వర్టర్

5) క్రియాశీల ప్రాంతంలో యాంప్లిఫైయర్

మెటల్ ఆక్సైడ్ సిలికాన్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్లు (MOSFET)

• ఇది వోల్టేజ్-నియంత్రిత మూడు-టెర్మినల్ పరికరం, ఇది స్విచింగ్ మరియు యాంప్లిఫికేషన్ ప్రయోజనాల కోసం ఉపయోగించబడుతుంది.
• టెర్మినల్స్ డ్రైఇన్,గెట్ మరియు సోర్స్.
• MOSFETలు రెండు తరగతులకు చెందినవి: ఎన్‌హాన్స్‌మెంట్ మోడ్ మరియు డిప్లిషన్ మోడ్. ప్రతి తరగతి n-ఛానల్ లేదా p-ఛానల్‌గా అందుబాటులో ఉంటుంది.
• గేట్ వద్ద ఉన్న వోల్టేజ్ MOSFET యొక్క ఆపరేషన్‌ను నియంత్రిస్తుంది. ఈ సందర్భంలో, ఛానెల్ నుండి ఇన్సులేట్ చేయబడినందున సానుకూల మరియు ప్రతికూల వోల్టేజ్‌లు గేట్‌కు వర్తించవచ్చు.
• ప్రతికూల గేట్ బయాస్ వోల్టేజ్‌తో, ఇది క్షీణత MOSFET వలె పనిచేస్తుంది, అయితే ధనాత్మక గేట్ బయాస్ వోల్టేజ్‌తో, ఇది ఎన్‌హాన్స్‌మెంట్ MOSFET వలె పనిచేస్తుంది.
• MOSFET సాధారణ డ్రైఇన్ కాన్ఫిగరేషన్‌లలో అధిక ఇన్‌పుట్ నిరోధకత మరియు తక్కువ అవుట్‌పుట్ నిరోధకతను కలిగి ఉంది.

• n-ఛానల్ పరికరం విషయంలో వాహకాలుగా ఉండే ఎలక్ట్రాన్ల చలనశీలత, p-ఛానల్ పరికరంలో క్యారియర్లు అయిన రంధ్రాల కంటే ఎక్కువగా ఉంటుంది.
• అందువలన n-ఛానల్ పరికరం p-ఛానల్ పరికరం కంటే వేగంగా ఉంటుంది.
• N - ఛానల్ ట్రాన్సిస్టర్ అదే డై ఏరియా కోసం తక్కువ ఆన్-రెసిస్టెన్స్ మరియు గేట్ కెపాసిటెన్స్‌ని కలిగి ఉంటుంది .

MOSFET:

MOSFET అనేది వోల్టేజ్-నియంత్రిత ఫీల్డ్-ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్.

ఇది "మెటల్ ఆక్సైడ్" గేట్ ఎలక్ట్రోడ్‌ను కలిగి ఉంటుంది, ఇది ప్రధాన అర్ధవాహకం n-ఛానల్ లేదా p-ఛానల్ నుండి చాలా పలుచని పొర నిరోధ  ద్వారా సాధారణంగా గ్లాస్ అని పిలువబడే సిలికాన్ డయాక్సైడ్ (SiO2 ) ద్వారా విద్యుత్ ఇన్సులేట్ చేయబడింది.

ఇన్సులేటింగ్ SiO2 పొర అధిక ఇన్‌పుట్ నిరోధంను అందిస్తుంది.

MOSFET రెండు రకాలు:

క్షీణత రకం (D-MOSFET):

• సోర్స్ మరియు డ్రేన్ మధ్య భౌతిక పొర ఉనికి.
• మేము సోర్స్ మరియు గేట్ మధ్య ధనాత్మక మరియు  రెండింటినీ వర్తింపజేయవచ్చు.

మెరుగుదల రకం (e-MOSFET):

• సోర్స్ మరియు డ్రేన్ మధ్య భౌతిక పొర లేకపోవడం
• గేట్ మరియు మూలం మధ్య ఒక రకమైన ధ్రువణ వోల్టేజ్ మాత్రమే భౌతిక పొర ఏర్పడాలి.

MOSFET యొక్క చిహ్నం ప్రాతినిధ్యం:

ట్రాన్సిస్టర్‌గా పని చేయవచ్చు

1) ప్రస్తుత అద్దంలో నిరోధం

2) లెవెల్ షిఫ్టర్‌లో కెపాసిటర్

3) సంతృప్త(సేచురేషణ్) ప్రాంతంలో మూసివేయబడిన లేదా తెరవబడిన స్విచ్

4) కటాఫ్ మరియు సంతృప్త(సేచురేషణ్) ప్రాంతంలో ఇన్వర్టర్

5) క్రియాశీల ప్రాంతంలో యాంప్లిఫైయర్

మెటల్ ఆక్సైడ్ సిలికాన్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్లు (MOSFET)

• ఇది వోల్టేజ్-నియంత్రిత మూడు-టెర్మినల్ పరికరం, ఇది స్విచింగ్ మరియు యాంప్లిఫికేషన్ ప్రయోజనాల కోసం ఉపయోగించబడుతుంది.
• టెర్మినల్స్ డ్రైఇన్,గెట్ మరియు సోర్స్.
• MOSFETలు రెండు తరగతులకు చెందినవి: ఎన్‌హాన్స్‌మెంట్ మోడ్ మరియు డిప్లిషన్ మోడ్. ప్రతి తరగతి n-ఛానల్ లేదా p-ఛానల్‌గా అందుబాటులో ఉంటుంది.
• గేట్ వద్ద ఉన్న వోల్టేజ్ MOSFET యొక్క ఆపరేషన్‌ను నియంత్రిస్తుంది. ఈ సందర్భంలో, ఛానెల్ నుండి ఇన్సులేట్ చేయబడినందున సానుకూల మరియు ప్రతికూల వోల్టేజ్‌లు గేట్‌కు వర్తించవచ్చు.
• ప్రతికూల గేట్ బయాస్ వోల్టేజ్‌తో, ఇది క్షీణత MOSFET వలె పనిచేస్తుంది, అయితే ధనాత్మక గేట్ బయాస్ వోల్టేజ్‌తో, ఇది ఎన్‌హాన్స్‌మెంట్ MOSFET వలె పనిచేస్తుంది.
• MOSFET సాధారణ డ్రైఇన్ కాన్ఫిగరేషన్‌లలో అధిక ఇన్‌పుట్ నిరోధకత మరియు తక్కువ అవుట్‌పుట్ నిరోధకతను కలిగి ఉంది.

• n-ఛానల్ పరికరం విషయంలో వాహకాలుగా ఉండే ఎలక్ట్రాన్ల చలనశీలత, p-ఛానల్ పరికరంలో క్యారియర్లు అయిన రంధ్రాల కంటే ఎక్కువగా ఉంటుంది.
• అందువలన n-ఛానల్ పరికరం p-ఛానల్ పరికరం కంటే వేగంగా ఉంటుంది.
• N - ఛానల్ ట్రాన్సిస్టర్ అదే డై ఏరియా కోసం తక్కువ ఆన్-రెసిస్టెన్స్ మరియు గేట్ కెపాసిటెన్స్‌ని కలిగి ఉంటుంది .

MOSFET:

MOSFET అనేది వోల్టేజ్-నియంత్రిత ఫీల్డ్-ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్.

ఇది "మెటల్ ఆక్సైడ్" గేట్ ఎలక్ట్రోడ్‌ను కలిగి ఉంటుంది, ఇది ప్రధాన అర్ధవాహకం n-ఛానల్ లేదా p-ఛానల్ నుండి చాలా పలుచని పొర నిరోధ  ద్వారా సాధారణంగా గ్లాస్ అని పిలువబడే సిలికాన్ డయాక్సైడ్ (SiO2 ) ద్వారా విద్యుత్ ఇన్సులేట్ చేయబడింది.

ఇన్సులేటింగ్ SiO2 పొర అధిక ఇన్‌పుట్ నిరోధంను అందిస్తుంది.

MOSFET రెండు రకాలు:

క్షీణత రకం (D-MOSFET):

• సోర్స్ మరియు డ్రేన్ మధ్య భౌతిక పొర ఉనికి.
• మేము సోర్స్ మరియు గేట్ మధ్య ధనాత్మక మరియు  రెండింటినీ వర్తింపజేయవచ్చు.

మెరుగుదల రకం (e-MOSFET):

• సోర్స్ మరియు డ్రేన్ మధ్య భౌతిక పొర లేకపోవడం
• గేట్ మరియు మూలం మధ్య ఒక రకమైన ధ్రువణ వోల్టేజ్ మాత్రమే భౌతిక పొర ఏర్పడాలి.

MOSFET యొక్క చిహ్నం ప్రాతినిధ్యం: