Common Drain Configuration MCQ Quiz in हिन्दी - Objective Question with Answer for Common Drain Configuration - मुफ्त [PDF] डाउनलोड करें

Last updated on Apr 13, 2025

पाईये Common Drain Configuration उत्तर और विस्तृत समाधान के साथ MCQ प्रश्न। इन्हें मुफ्त में डाउनलोड करें Common Drain Configuration MCQ क्विज़ Pdf और अपनी आगामी परीक्षाओं जैसे बैंकिंग, SSC, रेलवे, UPSC, State PSC की तैयारी करें।

Latest Common Drain Configuration MCQ Objective Questions

Common Drain Configuration Question 1:

स्रोत अनुगामी का निर्गम प्रतिबाधा क्या है?

  1. 1 / gm + rd
  2. rd / (1 + gm.rd)
  3. rd
  4. कोई नहीं

Answer (Detailed Solution Below)

Option 2 : rd / (1 + gm.rd)

Common Drain Configuration Question 1 Detailed Solution

व्याख्या:

1. एक सामान्य ड्रेन प्रवर्धक में इकाई वोल्टेज लब्धि होता है।

2. इसलिए AC निर्गम वोल्टेज AC निवेश वोल्टेज के समान है या स्रोत टर्मिनल पर AC वोल्टेज निवेश वोल्टेज का अनुसरण करेगा।

इसलिए, सामान्य ड्रेन प्रवर्धक को "स्रोत अनुगामी" के रूप में भी जाना जाता है।

मध्य आवृत्ति AC समतुल्य परिपथ है:

F13 Tapesh 12-2-2021 Swati D10

सामान्य ड्रेन प्रवर्धक का लघु-सिग्नल मॉडल इस प्रकार है:

F13 Tapesh 12-2-2021 Swati D11

निर्गम प्रतिबाधा की गणना करने के लिए हम निवेश वोल्टेज स्रोत को लघु परिपथ करते हैं।

\(R_0=\frac{V_x}{I_x}\)

निवेश लूप में KVL लागू करें:

Vgs + Vx = 0

Vgs = - Vx --(1)

अब 'S' पर KCL लागू करें:

\(I_x \ + \ g_mV_{gs}=\frac{V_x}{r_{ds}}\)

\(I_x=\frac{V_x}{r_{ds}} \ + \ g_mV_x\)

\(I_x=V_x[\frac{1}{r_{ds}} \ + \ g_m]\)

\(\frac{V_x}{I_x}=R_0=\frac{1}{g_m}||r_{ds}\)

जैसा कि (rds = rd) दिया गया है:

\(R_0=\frac{r_d}{1 \ + \ g_mr_d}\)

इसलिए विकल्प (2) सही उत्तर है

Important Points

  • चूँकि FET का निवेश परिपथ उत्क्रम अभिनति है, FET बहुत अधिक निवश प्रतिबाधा और कम निर्गम प्रतिबाधा प्रदर्शित करता है और निवेश और निर्गम के बीच उच्च स्तर का विलगन होगा।
  • इसलिए, FET एक उत्कृष्ट बफर प्रवर्धक के रूप में कार्य कर सकता है लेकिन BJT में कम निवेश प्रतिबाधा होती है क्योंकि इसका निवेश परिपथ उत्क्रम अभिनति होता है।
  • सामान्य ड्रेन विन्यास (सामान्य संग्राहक के समान) में, निवेश गेट पर लागू किया जाता है और इसका निर्गम स्रोत से लिया जाता है।
  • सामान्य ड्रेन या “स्रोत अनुगामी” विन्यास में सबसे अधिक निवेश प्रतिबाधा और कम निर्गम प्रतिबाधा होती है।

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D2

वोल्टेज लब्धि इकाई है, हालांकि धारा लब्धि अधिक है। निवेश और निर्गम सिग्नल फेज में हैं।

FET का लघु सिग्नल

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D3

CD लघु सिग्नल।

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D4

Rin = ∞ (∵ खुला परिपथ)

अन्य विन्यास:

सामान्य स्रोत विन्यास

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D5

  • सामान्य स्रोत विन्यास (सामान्य उत्सर्जक के समान) में, निवेश गेट पर लागू किया जाता है और इसका निर्गम ड्रेन से लिया जाता है जैसा दिखाया गया है।
  • यह उच्च निवेश प्रतिबाधा और अच्छे वोल्टेज प्रवर्धन के कारण FET के संचालन का सबसे सामान्य तरीका है और इस प्रकार सामान्य स्रोत प्रवर्धकों का व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।
  • FET संयोजन का सामान्य स्रोत मोड आम तौर पर ऑडियो आवृत्ति प्रवर्धकों और उच्च निवेश प्रतिबाधा प्री-एम्प और चरणों में उपयोग किया जाता है।
  • एक प्रवर्धक परिपथ होने के नाते, निर्गम सिग्नल निवेश के साथ 180o “आउट-ऑफ-फेज” है।

 

सामान्य गेट विन्यास:

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D6

  • सामान्य गेट विन्यास (सामान्य आधार के समान) में, निवेश स्रोत पर लागू किया जाता है और इसका निर्गम ड्रेन से लिया जाता है जिसमें गेट सीधे जमीन (0 V) से जुड़ा होता है जैसा दिखाया गया है।
  • पिछले संयोजन की उच्च निवेश प्रतिबाधा विशेषता इस विन्यास में खो जाती है क्योंकि सामान्य गेट में कम निवेश प्रतिबाधा होती है, लेकिन उच्च निर्गम प्रतिबाधा होती है।
  • इस प्रकार के FET विन्यास का उपयोग उच्च-आवृत्ति परिपथ या प्रतिबाधा मिलान परिपथ में किया जा सकता है जहाँ कम निवेश प्रतिबाधा को उच्च निर्गम प्रतिबाधा से मिलान करने की आवश्यकता होती है। निर्गम निवेश के साथ “इन-फेज” है।

Top Common Drain Configuration MCQ Objective Questions

स्रोत अनुगामी का निर्गम प्रतिबाधा क्या है?

  1. 1 / gm + rd
  2. rd / (1 + gm.rd)
  3. rd
  4. कोई नहीं

Answer (Detailed Solution Below)

Option 2 : rd / (1 + gm.rd)

Common Drain Configuration Question 2 Detailed Solution

Download Solution PDF

व्याख्या:

1. एक सामान्य ड्रेन प्रवर्धक में इकाई वोल्टेज लब्धि होता है।

2. इसलिए AC निर्गम वोल्टेज AC निवेश वोल्टेज के समान है या स्रोत टर्मिनल पर AC वोल्टेज निवेश वोल्टेज का अनुसरण करेगा।

इसलिए, सामान्य ड्रेन प्रवर्धक को "स्रोत अनुगामी" के रूप में भी जाना जाता है।

मध्य आवृत्ति AC समतुल्य परिपथ है:

F13 Tapesh 12-2-2021 Swati D10

सामान्य ड्रेन प्रवर्धक का लघु-सिग्नल मॉडल इस प्रकार है:

F13 Tapesh 12-2-2021 Swati D11

निर्गम प्रतिबाधा की गणना करने के लिए हम निवेश वोल्टेज स्रोत को लघु परिपथ करते हैं।

\(R_0=\frac{V_x}{I_x}\)

निवेश लूप में KVL लागू करें:

Vgs + Vx = 0

Vgs = - Vx --(1)

अब 'S' पर KCL लागू करें:

\(I_x \ + \ g_mV_{gs}=\frac{V_x}{r_{ds}}\)

\(I_x=\frac{V_x}{r_{ds}} \ + \ g_mV_x\)

\(I_x=V_x[\frac{1}{r_{ds}} \ + \ g_m]\)

\(\frac{V_x}{I_x}=R_0=\frac{1}{g_m}||r_{ds}\)

जैसा कि (rds = rd) दिया गया है:

\(R_0=\frac{r_d}{1 \ + \ g_mr_d}\)

इसलिए विकल्प (2) सही उत्तर है

Important Points

  • चूँकि FET का निवेश परिपथ उत्क्रम अभिनति है, FET बहुत अधिक निवश प्रतिबाधा और कम निर्गम प्रतिबाधा प्रदर्शित करता है और निवेश और निर्गम के बीच उच्च स्तर का विलगन होगा।
  • इसलिए, FET एक उत्कृष्ट बफर प्रवर्धक के रूप में कार्य कर सकता है लेकिन BJT में कम निवेश प्रतिबाधा होती है क्योंकि इसका निवेश परिपथ उत्क्रम अभिनति होता है।
  • सामान्य ड्रेन विन्यास (सामान्य संग्राहक के समान) में, निवेश गेट पर लागू किया जाता है और इसका निर्गम स्रोत से लिया जाता है।
  • सामान्य ड्रेन या “स्रोत अनुगामी” विन्यास में सबसे अधिक निवेश प्रतिबाधा और कम निर्गम प्रतिबाधा होती है।

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D2

वोल्टेज लब्धि इकाई है, हालांकि धारा लब्धि अधिक है। निवेश और निर्गम सिग्नल फेज में हैं।

FET का लघु सिग्नल

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D3

CD लघु सिग्नल।

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D4

Rin = ∞ (∵ खुला परिपथ)

अन्य विन्यास:

सामान्य स्रोत विन्यास

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D5

  • सामान्य स्रोत विन्यास (सामान्य उत्सर्जक के समान) में, निवेश गेट पर लागू किया जाता है और इसका निर्गम ड्रेन से लिया जाता है जैसा दिखाया गया है।
  • यह उच्च निवेश प्रतिबाधा और अच्छे वोल्टेज प्रवर्धन के कारण FET के संचालन का सबसे सामान्य तरीका है और इस प्रकार सामान्य स्रोत प्रवर्धकों का व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।
  • FET संयोजन का सामान्य स्रोत मोड आम तौर पर ऑडियो आवृत्ति प्रवर्धकों और उच्च निवेश प्रतिबाधा प्री-एम्प और चरणों में उपयोग किया जाता है।
  • एक प्रवर्धक परिपथ होने के नाते, निर्गम सिग्नल निवेश के साथ 180o “आउट-ऑफ-फेज” है।

 

सामान्य गेट विन्यास:

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D6

  • सामान्य गेट विन्यास (सामान्य आधार के समान) में, निवेश स्रोत पर लागू किया जाता है और इसका निर्गम ड्रेन से लिया जाता है जिसमें गेट सीधे जमीन (0 V) से जुड़ा होता है जैसा दिखाया गया है।
  • पिछले संयोजन की उच्च निवेश प्रतिबाधा विशेषता इस विन्यास में खो जाती है क्योंकि सामान्य गेट में कम निवेश प्रतिबाधा होती है, लेकिन उच्च निर्गम प्रतिबाधा होती है।
  • इस प्रकार के FET विन्यास का उपयोग उच्च-आवृत्ति परिपथ या प्रतिबाधा मिलान परिपथ में किया जा सकता है जहाँ कम निवेश प्रतिबाधा को उच्च निर्गम प्रतिबाधा से मिलान करने की आवश्यकता होती है। निर्गम निवेश के साथ “इन-फेज” है।

Common Drain Configuration Question 3:

स्रोत अनुगामी का निर्गम प्रतिबाधा क्या है?

  1. 1 / gm + rd
  2. rd / (1 + gm.rd)
  3. rd
  4. कोई नहीं

Answer (Detailed Solution Below)

Option 2 : rd / (1 + gm.rd)

Common Drain Configuration Question 3 Detailed Solution

व्याख्या:

1. एक सामान्य ड्रेन प्रवर्धक में इकाई वोल्टेज लब्धि होता है।

2. इसलिए AC निर्गम वोल्टेज AC निवेश वोल्टेज के समान है या स्रोत टर्मिनल पर AC वोल्टेज निवेश वोल्टेज का अनुसरण करेगा।

इसलिए, सामान्य ड्रेन प्रवर्धक को "स्रोत अनुगामी" के रूप में भी जाना जाता है।

मध्य आवृत्ति AC समतुल्य परिपथ है:

F13 Tapesh 12-2-2021 Swati D10

सामान्य ड्रेन प्रवर्धक का लघु-सिग्नल मॉडल इस प्रकार है:

F13 Tapesh 12-2-2021 Swati D11

निर्गम प्रतिबाधा की गणना करने के लिए हम निवेश वोल्टेज स्रोत को लघु परिपथ करते हैं।

\(R_0=\frac{V_x}{I_x}\)

निवेश लूप में KVL लागू करें:

Vgs + Vx = 0

Vgs = - Vx --(1)

अब 'S' पर KCL लागू करें:

\(I_x \ + \ g_mV_{gs}=\frac{V_x}{r_{ds}}\)

\(I_x=\frac{V_x}{r_{ds}} \ + \ g_mV_x\)

\(I_x=V_x[\frac{1}{r_{ds}} \ + \ g_m]\)

\(\frac{V_x}{I_x}=R_0=\frac{1}{g_m}||r_{ds}\)

जैसा कि (rds = rd) दिया गया है:

\(R_0=\frac{r_d}{1 \ + \ g_mr_d}\)

इसलिए विकल्प (2) सही उत्तर है

Important Points

  • चूँकि FET का निवेश परिपथ उत्क्रम अभिनति है, FET बहुत अधिक निवश प्रतिबाधा और कम निर्गम प्रतिबाधा प्रदर्शित करता है और निवेश और निर्गम के बीच उच्च स्तर का विलगन होगा।
  • इसलिए, FET एक उत्कृष्ट बफर प्रवर्धक के रूप में कार्य कर सकता है लेकिन BJT में कम निवेश प्रतिबाधा होती है क्योंकि इसका निवेश परिपथ उत्क्रम अभिनति होता है।
  • सामान्य ड्रेन विन्यास (सामान्य संग्राहक के समान) में, निवेश गेट पर लागू किया जाता है और इसका निर्गम स्रोत से लिया जाता है।
  • सामान्य ड्रेन या “स्रोत अनुगामी” विन्यास में सबसे अधिक निवेश प्रतिबाधा और कम निर्गम प्रतिबाधा होती है।

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D2

वोल्टेज लब्धि इकाई है, हालांकि धारा लब्धि अधिक है। निवेश और निर्गम सिग्नल फेज में हैं।

FET का लघु सिग्नल

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D3

CD लघु सिग्नल।

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D4

Rin = ∞ (∵ खुला परिपथ)

अन्य विन्यास:

सामान्य स्रोत विन्यास

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D5

  • सामान्य स्रोत विन्यास (सामान्य उत्सर्जक के समान) में, निवेश गेट पर लागू किया जाता है और इसका निर्गम ड्रेन से लिया जाता है जैसा दिखाया गया है।
  • यह उच्च निवेश प्रतिबाधा और अच्छे वोल्टेज प्रवर्धन के कारण FET के संचालन का सबसे सामान्य तरीका है और इस प्रकार सामान्य स्रोत प्रवर्धकों का व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है।
  • FET संयोजन का सामान्य स्रोत मोड आम तौर पर ऑडियो आवृत्ति प्रवर्धकों और उच्च निवेश प्रतिबाधा प्री-एम्प और चरणों में उपयोग किया जाता है।
  • एक प्रवर्धक परिपथ होने के नाते, निर्गम सिग्नल निवेश के साथ 180o “आउट-ऑफ-फेज” है।

 

सामान्य गेट विन्यास:

F2 Shubham Madhu 11.08.20 D6

  • सामान्य गेट विन्यास (सामान्य आधार के समान) में, निवेश स्रोत पर लागू किया जाता है और इसका निर्गम ड्रेन से लिया जाता है जिसमें गेट सीधे जमीन (0 V) से जुड़ा होता है जैसा दिखाया गया है।
  • पिछले संयोजन की उच्च निवेश प्रतिबाधा विशेषता इस विन्यास में खो जाती है क्योंकि सामान्य गेट में कम निवेश प्रतिबाधा होती है, लेकिन उच्च निर्गम प्रतिबाधा होती है।
  • इस प्रकार के FET विन्यास का उपयोग उच्च-आवृत्ति परिपथ या प्रतिबाधा मिलान परिपथ में किया जा सकता है जहाँ कम निवेश प्रतिबाधा को उच्च निर्गम प्रतिबाधा से मिलान करने की आवश्यकता होती है। निर्गम निवेश के साथ “इन-फेज” है।
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